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Fairchild/ON Semiconductor FQA8N80C
| Artikelnummer: | FQA8N80C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Fairchild/ON Semiconductor FQA8N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQA8N80C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-3PN Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V Verlustleistung (max) 220W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Tc) FQA8N80C Einzelheiten PDF [English] FQA8N80C PDF - EN.pdf -
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